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  与上一代OptiMOS 3相比,OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性,其RDS(on)降低了42%,有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面,OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多,且 Qrr(typ)降低了 89%,使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度(Coss 和 Crss),减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享,使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
xilinx zynq  HL8518芯片内部集成了功率FET,可以控制并限制流经其内部功率管的电流,电流限制阈值可以采用一个从ILIM引脚到地的外部电阻器来设置。内部电荷泵有助于实现高效的栅极控制,该芯片典型Rds(on)值为80mΩ。
NXP全新MCX N系列微控制器搭载Arm Cortex-M33 CPU,配备智能外设和加速器、通信和信号处理功能,可扩展性强,易于开发。MCX N的低功耗高速缓存提高了系统性能,双闪存和完整的ECC RAM则支持系统安全,提供了额外的保护。
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此外,更高的光子通量能促进生物量增加并缩短作物生长周期。测试表明,OSCONIQ P3737在运行102,000小时后,仍能保持90%的光输出,在所有LED植物照明灯具中拥有长的使用寿命。
其双面 DHDFN-9-1(双散热器 DFN)封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性,使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量,其侧边可湿焊盘技术,更便于光学检查。
xilinx zynq基于盘控协同架构,网络数据直通NVMe SSD,进一步提升单盘带宽;在数据归档与管理阶段,AS13000G7-N提供了多元异构存储的统一纳管能力,保障数据资产高效存储与管理,大幅提升存储资源的利用率且化数据基础设施投资回报比。
  无论是组合穿戴还是单品佩戴,通过与三星Galaxy智能手机的互联,用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富:佩戴三星Galaxy Ring或Galaxy Watch新品时,可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟;且二者在搭配使用时,不仅数据测量会更精准,戒指的续航还会进一步延长。
  Discovery套件还包含一个板载FlashPro5编程器和一个预安装的DSP FIR滤波器,可借助USB转JTAG通道,对PolarFire FPGA的嵌入式数学模块功能进行编程、调试和展示。Libero SoC设计软件可从Microchip的网站,新用户可获得的Silver许可证以便开始使用。
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  Particle 自称是一家“全栈物联网平台即服务”公司,而Tachyon 旨在与其服务一起运行,但也可以独立运营。
  “就像在 2024 年运营自己的服务器场没有意义一样,从头开始构建物联网基础设施也没有意义。如果你要大规模部署产品,你应该依靠其他公司提供属于‘无差别重担’类别的基础设施——这是我们从亚马逊网络服务中借用的术语,”
xilinx zynq  强大计算和存储能力:能够处理Wi-Fi 7的高数据速率和技术复杂性? 快速稳定的数据传输:在Wi-Fi 7环境下减少延迟,提供稳定高效的数据处理? 多样化接口和连接器:兼容各种RF设计和组件,增强系统的适应性和灵活性? 系统级集成设计:整合不同RF组件,以满足复杂的无线和蜂窝连接需求Sirius Wireless 使用S7-9P所搭建的原型验证验证环境,帮助其在芯片的基本功能验证后提前计划安排驱动环境的开发,这大大缩短了SoC 验证周期,并且加快了产品上市时间,并共同为客户提供从RF至MAC端到端的验证方案。
  DELO-DOT PN5 LV 的尺寸为 68 mm × 19 mm × 90 mm(宽 x 深 x 高),结构紧凑,只需很小的空间即可安装在生产系统里。它重量仅 240 克,轻巧的结构令阀门可极快地加速,同时具备更小的轴和驱动构造。它还支持高速工艺,连续点胶频率可达 250 Hz。
  与上一代2.5微米前照式(FSI)GS传感器相比,2.2微米BSI GS传感器在使用F2.0镜头时的灵敏度提高到原来的1.08倍,在使用F1.4镜头时的灵敏度提高到原来的2.16倍。新品OG05B1B是一款采用1/2.53英寸光学格式、分辨率为500万像素的CMOS黑白全局快门传感器。新品OG01H1B是一款采用1/4.51英寸光学格式、分辨率为150万像素的CMOS黑白全局快门传感器。

分类: 万代芯片