英飞凌tc387芯片介绍

　　更值得一提的是，为了进一步帮助客户简化设计流程，移远通信提供了各种高性能配套天线，以高度的灵活性和兼容性满足不同项目的要求，大大提高了无线连接的质量与速率。同时，客户还可以将移远的模组与对应的天线和预服务相结合，从而帮助其降低物联网设备的成本投入与上市时间。
英飞凌tc387芯片介绍推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
与同系列中的工业级产品一样，车规级 CoolMOS? S7TA 尤其适合固态继电器（SSR）应用。它具有出色的RDS(on) 和传感精度，这对于依赖高效功率管理解决方案的各种汽车电子设备至关重要。超级结MOSFET与嵌入式温度传感器集成在同一封装中，提高了固态继电器的性能，即便在非常严峻的过载条件下也能可靠运行，这对于可靠性要求极高的汽车应用来说是必要的。

　　这些LDO稳压器均具有系统保护和管理功能，包括内部电流限制、热保护、软启动和输出主动放电。 有一个用于关断控制的使能引脚和一个用于诊断监控的电源正常引脚。 LDQ40 器件还具有短路保护功能。
　　此外，高达6组32位计时 器、1组UART、1组SPI、2组I2C、以及6通道16位BPWM等周边模块的加入，确保了传感器在各种应用场景中都能应对自如，提供更全面的解决方案。为满足日益增长的小尺寸传感器需求，该系列提供QFN33 (4 x 4 mm) 和QFN48 (5 x 5 mm) 的小封装尺寸，使感测技术能够轻松整合于各种应用场景中。
英飞凌tc387芯片介绍　　为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
　　车规级PSoC4100S Max通过了AECQ-100，能够承受高达125 °C的环境温度，还支持ASIL-B（达到ISO 26262标准），可帮助集成商实现汽车应用的系统级合规。由于得到英飞凌ModusToolbox?开发平台的支持，开发者能够通过该器件轻松实现各种用例。
与上一代产品相比，新一代能耗降低高达50%。高能效可以减少电池更换次数，限度降低废旧电池的环境影响，让更多设计人员选用无电池设计，采用太阳能电池等能量收集系统给设备供电。

　　配备了强劲动力，Ear 的紧凑型定制驱动单元具备搭载更大电池的能力，从而使电池续航时间比 Ear (2) 长出 25%——充电盒充满电后可使用 40.5 小时，或者连续播放 8.5 小时。快充方面，Ear 支持 2.5W 的无线充电。十分钟的快速充电可为配备了充电盒的耳机提供十小时的播放时间。
英飞凌tc387芯片介绍GD32F5系列支持2MB程序RWW (Read-While-Write) OTA升级，能够在业务不中断的情况下进行代码升级，兼顾实时性与稳定性。外部总线扩展(EXMC)支持访问SDRAM、SRAM、ROM、NOR Flash、NAND Flash及PC Card等多种片外存储器。凭借其超大容量存储空间，GD32F5能够满足复杂工业系统对于代码升级备份的需求。
　　系统层面，神行Plus电池在第三代无模组技术CTP3.0的基础上进行拓扑结构优化，充分利用能量仓空间，体积成组效率提升7%。凭借材料及结构的双重突破，神行电池系统能量密度首度突破200Wh/kg大关，达到205Wh/kg，让整车续航超过1000km成为可能。
新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN 产品系列的这些固有特性。